德国BATOP饱和吸收镜

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成都科盛达光电代理德国BATOP饱和吸收镜/BATOP饱和吸收体。

饱和吸收镜基本结构就是把反射镜与半导体可饱和吸收体(通常为GaAs)结合在一起。底层一般为半导体反射镜,其上生长一层半导体可饱和吸收 体薄膜

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其主要参数包括

中心波长

反射和吸收带宽

吸收率

调制深度

弛豫时间

德国BATOP饱和吸收镜的主要产品包括

 

 

SAM 800

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 780 - 830 nm

A0= 5 - 10 %

τ = 1 ps

SAM 940

 

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 910 - 990 nm

A0= 4 - 30 %

τ = 1 ps

SAM 980

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 940 – 1000 nm

A0= 2 – 70 %

τ = 500 fs

SAM 1040

 

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1020 .. 1050 nm

A0= 0.7 - 64 %

τ = 500 fs - 10 ps

SAM 1064

 

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1050 .. 1100 nm

A0= 0.7 - 70 %

τ = 500 fs - 124 ps

SAM 1100

 

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1070 .. 1120 nm

A0= 30 - 90 %

τ = 500 fs

SAM 1150

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1100 .. 1200 nm

A0= 3 - 32 %

τ = 500 fs / 1ps

SAM 1300

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1230 .. 1330 nm

A0= 4 - 10 %

τ= 10 ps

SAM 1340

 

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1310 .. 1370 nm

A0= 1 - 15 %

τ = 1 ps

 

SAM 1420

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1360 .. 1460 nm

A0= 1 - 4 %

τ = 10 ps

SAM 1510

 

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1470 .. 1570 nm

A0= 6 - 23 %

τ = 10 ps

SAM 1550

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1500 .. 1600 nm

A0= 2 - 55 %

τ = 2 - 12 ps

SAM 2000

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 1900 .. 2050 nm

A0= 2 - 54 %

τ = 10 ps

SAM 2400

 

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 2300 .. 2600 nm

A0= 1 % / 1.5 %

τ = 10 ps

SAM 3000

Laser wavelength

Saturable absorption

Relaxation time

λ= 2500 .. 3200 nm

A0= 9 - 33 %

τ = 10ps

 

微片尺寸:1 mm x 1 mm, 1.3 mm x 1.3 mm, 4 mm x 4 mm, 8 mm x 8 mm (other dimensions on request)

微片厚度:450um (可定制其他厚度)

 

太赫兹光电导天线

太赫兹光电导天线是由金属电极和一层低温生长的GaAs和InGaAs薄膜组成。iPCA是大面积的太赫兹光电导天线,用于高功率太赫兹输出和高灵敏度太赫兹收集。

波长范围 530nm..860nm 中心波长800nm

波长范围 800nm..1100nm 中心波长1060nm

波长范围 1000nm..1550nm 中心波长1550nm

光电导天线选型推荐

天线类型

发射

探测

低频段

高频段

低激发光强

高激发光强

蝴碟形天线

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平行形天线

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领结形天线

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+ +

+

+

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天线阵列

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+ +

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+ +

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+ +

领结指间形天线

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螺旋形天线

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+ +

+ +

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-

SOC可饱和吸收耦合输出镜 

未命名_副本

型号描述:SOC-1040-2-X
1040-2—中心波长为1040nm,饱和吸收率为2%,部分可选波长及饱和吸收率如下:
  1064(-2,-4), (R > 99% @1040-1100nm)。

X ——封装代码 
  X=0,无封装的裸片
  X=12.7g,粘在1/2英寸的铜柱上
  X=25.4g,粘在1英寸的铜柱上
  X=12.7S,焊在1/2英寸的铜柱上
  X=25.4S,焊在1英寸的铜柱上
  X=FC/PC,安装在1米长光纤一端,接头类型FC/PC或其他可选

 

共有四种不同的封装方式,见下图

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其他BATOP产品请来电咨询

 

2022年4月27日 10:38
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