APD雪崩硅光电探测器

雪崩光电二极管具有高的内部增益，在同样的入射光功率条件下，能够输出比普通光电二极管更高的电流。当入射光子产生一个电子空穴对时，电场使电子加速，导致由碰撞电离产生次级电子，产生的电子雪崩将产生几十甚至上百倍的增益因子，表示为倍增因子M。M的大小跟反向偏压的大小以及温度具有函数关系。一般而言，同样偏压情况下，M因子随温度降低而增大，随温度升高而减小，因此温度对于雪崩光电探测器的稳定性影响比较大。我们的硅雪崩光电探测器(APD)具有比标准PIN光电探测器更高的灵敏度，非常适合于低光功率级别的应用。所有的APD探测器都内置温度传感器，能够补偿温度变化对于APD探测器的影响。