GaP磷化镓晶体
太赫兹探测用非掺杂GaP磷化镓晶体
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晶体结构 立方 a =5.4505 Å 生长方法 LEC 密度 4.13 g/cm3 熔点 1480 oC1 热膨胀系数 5.3 x10-6 / oC 掺杂物质 掺S 不掺杂 方向 <111>or<100> <100>or<111> 类型 N N 热传导率 2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3 电阻率W.cm ~0.03 ~0.3 EPD (cm-2 ) < 3x105 < 3x105 晶向<100>,<111><110>
成都科盛达光电为您提供太赫兹探测用非掺杂GaP磷化镓晶体，多种晶向及尺寸可选。
库存型号有
5*5*0.5mm 和5*5*0.2mm,双抛，<110>晶向。
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