太赫兹GaSe硒化镓晶体
太赫兹GaSe硒化镓晶体
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GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。GaSe晶体的应用包括：中波红外混频研究，太赫兹发生。
GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
● 抗损伤阈值高
● 非线性系数大
● CO2激光的SHG
● 多种尺寸可选
透射范围µm
0.6~20
点群
6m2
谜底, g/cm3
5.03
硬度
2
折射率
at 5.3 µm
no= 2.7233, ne= 2.3966
at 10.6 µm
no= 2.6975, ne= 2.3745
非线性效应, pm/V
d22 = 54
损伤阈值, MW/cm2
28 (9.3 µm, 150 ns); 0.5 (10.6 µm, in CW mode); 30 (1.064 µm, 10 ns)
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