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德国BATOP饱和吸收镜 太赫兹光电导天线

德国BATOP饱和吸收镜 太赫兹光电导天线,耦合输出镜
数量:
  • 成都科盛达光电代理德国BATOP饱和吸收镜/BATOP饱和吸收体。

    饱和吸收镜基本结构就是把反射镜与半导体可饱和吸收体(通常为GaAs)结合在一起。底层一般为半导体反射镜,其上生长一层半导体可饱和吸收 体薄膜

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    其主要参数包括

    中心波长

    反射和吸收带宽

    吸收率

    调制深度

    弛豫时间

     

     未命名_副本
     

    德国BATOP饱和吸收镜的主要产品包括

     

     

    SAM 800

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 780 - 830 nm

    A0= 5 - 10 %

    τ = 1 ps

    SAM 940

     

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 910 - 990 nm

    A0= 4 - 30 %

    τ = 1 ps

    SAM 980

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 940 – 1000 nm

    A0= 2 – 70 %

    τ = 500 fs

    SAM 1040

     

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1020 .. 1050 nm

    A0= 0.7 - 64 %

    τ = 500 fs - 10 ps

    SAM 1064

     

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1050 .. 1100 nm

    A0= 0.7 - 70 %

    τ = 500 fs - 124 ps

    SAM 1100

     

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1070 .. 1120 nm

    A0= 30 - 90 %

    τ = 500 fs

    SAM 1150

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1100 .. 1200 nm

    A0= 3 - 32 %

    τ = 500 fs / 1ps

    SAM 1300

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1230 .. 1330 nm

    A0= 4 - 10 %

    τ= 10 ps

    SAM 1340

     

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1310 .. 1370 nm

    A0= 1 - 15 %

    τ = 1 ps

     

    SAM 1420

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1360 .. 1460 nm

    A0= 1 - 4 %

    τ = 10 ps

    SAM 1510

     

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1470 .. 1570 nm

    A0= 6 - 23 %

    τ = 10 ps

    SAM 1550

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1500 .. 1600 nm

    A0= 2 - 55 %

    τ = 2 - 12 ps

    SAM 2000

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 1900 .. 2050 nm

    A0= 2 - 54 %

    τ = 10 ps

    SAM 2400

     

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 2300 .. 2600 nm

    A0= 1 % / 1.5 %

    τ = 10 ps

    SAM 3000

    Laser wavelength

    Saturable absorption

    Relaxation time

    λ= 2500 .. 3200 nm

    A0= 9 - 33 %

    τ = 10ps

     

    微片尺寸:1 mm x 1 mm, 1.3 mm x 1.3 mm, 4 mm x 4 mm, 8 mm x 8 mm (other dimensions on request)

    微片厚度:450um (可定制其他厚度)

     

    太赫兹光电导天线

    太赫兹光电导天线是由金属电极和一层低温生长的GaAs和InGaAs薄膜组成。iPCA是大面积的太赫兹光电导天线,用于高功率太赫兹输出和高灵敏度太赫兹收集。

    波长范围 530nm..860nm 中心波长800nm

    波长范围 800nm..1100nm 中心波长1060nm

    波长范围 1000nm..1550nm 中心波长1550nm

    光电导天线选型推荐

    天线类型

    发射

    探测

    低频段

    高频段

    低激发光强

    高激发光强

    蝴碟形天线

    +

    + +

    + +

    -

    -

    +

    平行形天线

    + +

    +

    -

    + +

    +

    -

    领结形天线

    +

    + +

    +

    +

    +

    -

    天线阵列

    + +

    + +

    -

    + +

    -

    + +

    领结指间形天线

    +

    +

    +

    +

    + +

    -

    螺旋形天线

    + +

    + +

    + +

    -

    +

    -

    SOC可饱和吸收耦合输出镜 

    未命名_副本

    型号描述:SOC-1040-2-X
    1040-2—中心波长为1040nm,饱和吸收率为2%,部分可选波长及饱和吸收率如下:
      1064(-2,-4), (R > 99% @1040-1100nm)。

    X ——封装代码 
      X=0,无封装的裸片
      X=12.7g,粘在1/2英寸的铜柱上
      X=25.4g,粘在1英寸的铜柱上
      X=12.7S,焊在1/2英寸的铜柱上
      X=25.4S,焊在1英寸的铜柱上
      X=FC/PC,安装在1米长光纤一端,接头类型FC/PC或其他可选

     

    共有四种不同的封装方式,见下图

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    其他BATOP产品请来电咨询

     

     

     

     

     

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